TVS다이오드 및 바리스터의 설명

TVS다이오드 및 바리스터의 설명

 

 

1. TVS 와 바리스터의 차이점

Index	Varistor	TVS
Multi-strike 내성	열화	Good
과도 피크 펄스 전력	Good	General
Clamping Voltage	High	Low
Speed of response	< 수식 ns	< 1 ns
누설전류	High	Low
Capacitance	High	Low
온도특성	Good	Normal
가격	Low	High

 

아래는 Varistor와 TVS의 특성 그래프로서 억제 전압(Suppression Voltage)에 해당하는 클램핑 전압은 Varistor가 대체로 높고 내부 기생 커패시턴스는 TVS가 대체로 넓은 분포를 가지며 낮은 값의 영역까지 포함하고 있다. 이 그래프에서 TVS는 저 전압 고속 데이터 라인이나 RF회로에 주로 적용하며 Varistor는 주파수가 낮고 비교적 억제 전압이 높은 베이스 밴드나 전원회로에 주로 적용한다.

· 보호대상 IC : IC 민감도(Sensitivity), 데이터속도, 작동전압, 최대 정격 전압

· ESD 소자 : Clamping전압, 피크 전류, 응답속도, 기생 용량, 누설전류, 패키지 크기...

 

① 외부 노이즈 펄스나 ESD 또는 Surge에 따라 Surge인 경우 → MLV적용

② RF 또는 고속 신호의 경우 → Polymer ESD 또는 TVS

③ 저속이고 IC 민감도가 낮은 경우 → MLV

④ 저속이고 IC 민감도가 높은 경우 → TVS

⑤ 중속이고 IC 민감도가 낮은 경우 → MLV

⑥ 중속이고 IC 민감도가 높은 경우 → TVS

반응형

 

※ TVS : IC의 민감도가 높고 고속이며 동작전압이 낮은 경우

※ MLV : IC의 민감도가 낮고 저속이며 동작전압이 높은 경우

※ Polymer : RF회로 류

 

 

2. TVS의 선정

10/1000us, 8/20us는 파형의 Rising Time과 50% to 50% 사이의 시간을 의미한다.

아래 그림 참고 시 10/1000us에서 10us=T1, 1000us=T2

< IEC 61000-4-5 surge 1.2/50 ㎲ waveform >

 

< Transients of several thousand volts can be clamped to a safe level by the TVS >

 

< Transient current is divered to ground thru TVS : the voltage seen by the protected load is limited to the clamping voltage level >

 

Maximum Peak Pulse Current (Ipp) 보증 사양을 넘어서면 열화되어 TVS가 파손된다.